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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
比较
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
总分
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
总分
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
62
左右 58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
62
读取速度,GB/s
13.7
15.9
写入速度,GB/s
8.3
7.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2270
1891
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB RAM的比较
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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