PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

Gesamtnote
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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB

Gesamtnote
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V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

Unterschiede

PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 62
    Rund um 58% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.3 left arrow 7.4
    Durchschnittswert bei den Tests
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.9 left arrow 13.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 10600
    Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 62
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 15.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.3 left arrow 7.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2270 left arrow 1891
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche