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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Gesamtnote
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
62
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2270
1891
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CAS Latency (CL) *
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