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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Compara
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Puntuación global
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Puntuación global
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
62
En 58% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
62
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2270
1891
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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