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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
27
读取速度,GB/s
17.6
18.2
写入速度,GB/s
12.0
13.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3604
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
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