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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
27
读取速度,GB/s
17.6
18.2
写入速度,GB/s
12.0
13.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3604
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
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Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
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