RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 36
    周辺 25% 低遅延
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB 考慮すべき理由
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 13.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 2550

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Mushkin MES4S213FF16G28 16GB RAMの比較

Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
メモリRAM