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PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

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総合得点
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Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB 考慮すべき理由
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 27
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 1870

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