PNY Electronics PNY 2GB против Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB

Сообщить об ошибке

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 27

Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.4 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.9 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics PNY 2GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 25
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 15.4
Скорость записи, Гб/сек

8.4 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2274 1870

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KF560C40-16 16GB

Kingston KF560C40-16 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston 99U5701-036.A00G 16GB

Kingston 99U5701-036.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

Kingston 9965600-033.A00G 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB

Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB

модули RAM