RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 35
    周辺 23% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 13.5
    テスト平均値
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.3 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 13.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 10.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 2155

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB RAMの比較

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
メモリRAM