RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2155
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link