PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

総合得点

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

相違点仕様コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB

考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 35

周辺 23% 低遅延

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

15.5 13.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.6 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 10600

周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

PNY Electronics PNY 2GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 35
読み出し速度、GB/s

13.8 15.5
書き込み速度、GB/秒

8.4 11.6
メモリ帯域幅、mbps

10600 21300

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2274 2822

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

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Kingston 9905702-184.A00G 8GB

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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB

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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

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Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB

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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB

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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

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Kingston 9905624-046.A00G 8GB

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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB

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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

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EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB

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Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB

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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB

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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

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Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

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