RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Super Talent F24UB16GV 16GB

Super Talent F24UB16GV 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
Super Talent F24UB16GV 16GB 考慮すべき理由
Super Talent F24UB16GV 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 27
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 3046

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Super Talent F24UB16GV 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
メモリRAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
メモリRAM