RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Super Talent F24UB16GV 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Super Talent F24UB16GV 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
13.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
3046
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link