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PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
27
周辺 -23% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.7
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
22
読み出し速度、GB/s
13.8
17.5
書き込み速度、GB/秒
8.4
12.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
2960
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
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