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PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.8
17.5
写入速度,GB/s
8.4
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2960
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
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