RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

総合得点
star star star star star
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

総合得点
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB 考慮すべき理由
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 18.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,069.2 left arrow 15.7
    テスト平均値
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 106
    周辺 -279% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    106 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    3,273.7 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,069.2 left arrow 15.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    734 left arrow 3601

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB RAMの比較

Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
メモリRAM