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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
総合得点
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
18.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,069.2
15.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
106
周辺 -361% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
106
23
読み出し速度、GB/s
3,273.7
18.2
書き込み速度、GB/秒
2,069.2
15.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3498
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