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Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

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Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB

Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB 考慮すべき理由
Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    56 left arrow 93
    周辺 -66% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,169.5 left arrow 1,811.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    93 left arrow 56
  • 読み出し速度、GB/s
    3,417.2 left arrow 4,680.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,811.5 left arrow 2,169.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    663 left arrow 779

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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9905630-007.A00G 8GB
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メモリRAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
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Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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メモリRAM
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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