RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 29
    周辺 14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 15.5
    テスト平均値
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 3091

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
メモリRAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
メモリRAM