RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3091
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link