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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
31
周辺 19% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
10.1
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
31
読み出し速度、GB/s
16.1
16.9
書き込み速度、GB/秒
10.1
12.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
no data
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3043
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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