RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
10.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
no data
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3043
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link