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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
NSITEXE Inc Visenta 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
58
周辺 57% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
8.2
テスト平均値
考慮すべき理由
NSITEXE Inc Visenta 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18
16.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
58
読み出し速度、GB/s
16.1
18.0
書き込み速度、GB/秒
10.1
8.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2025
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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