RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
58
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
58
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2025
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link