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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
58
Rund um 57% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
NSITEXE Inc Visenta 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2025
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
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