RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.5
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 59
    周辺 -146% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 2,123.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 9.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    731 left arrow 2479

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
メモリRAM