RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
59
Por volta de -146% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
24
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
9.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2479
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
AMD AE34G1339U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link