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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 19.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,123.3 left arrow 16.2
    テスト平均値
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 59
    周辺 -111% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 19.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 16.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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