RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3562
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link