RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 11.4
    テスト平均値
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 69
    周辺 -60% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 1,857.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    4,217.2 left arrow 11.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,857.7 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 2532

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
メモリRAM