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Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB vs Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
総合得点
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
総合得点
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
54
59
周辺 8% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
4
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,123.3
1,926.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
59
読み出し速度、GB/s
4,419.9
4,833.8
書き込み速度、GB/秒
1,926.6
2,123.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
6400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
662
731
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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