Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB vs Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

相違点

  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    54 left arrow 59
    周辺 8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,123.3 left arrow 1,926.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 59
  • 読み出し速度、GB/s
    4,419.9 left arrow 4,833.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,926.6 left arrow 2,123.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    662 left arrow 731
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