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Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
比较
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB vs Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
59
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
1,926.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
54
59
读取速度,GB/s
4,419.9
4,833.8
写入速度,GB/s
1,926.6
2,123.3
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
662
731
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB RAM的比较
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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