Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB vs Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

总分
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Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB

总分
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    54 left arrow 59
    左右 8% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,123.3 left arrow 1,926.6
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    54 left arrow 59
  • 读取速度,GB/s
    4,419.9 left arrow 4,833.8
  • 写入速度,GB/s
    1,926.6 left arrow 2,123.3
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    662 left arrow 731
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