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Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
比较
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
总分
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
54
左右 -4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.6
1,926.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
52
读取速度,GB/s
4,419.9
10.4
写入速度,GB/s
1,926.6
7.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
662
2384
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
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