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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
総合得点
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
総合得点
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
20.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
18
58
周辺 -222% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.1
1,950.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
58
18
読み出し速度、GB/s
4,241.0
20.8
書き込み速度、GB/秒
1,950.7
15.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3402
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Frequency (Mhz) *
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