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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation 16GB

総合得点
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

総合得点
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InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
バグを報告する
InnoDisk Corporation 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 58
    周辺 -53% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    7.7 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 1,950.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    58 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    4,241.0 left arrow 7.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,950.7 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    651 left arrow 2163

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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905624-051.A00G 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
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