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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
比較する
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
総合得点
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
総合得点
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
49
周辺 20% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.7
10.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
49
読み出し速度、GB/s
11.7
10.9
書き込み速度、GB/秒
7.2
8.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1749
2413
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
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