RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.7
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.3
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
49
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
10.9
Скорость записи, Гб/сек
7.2
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2413
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link