RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
49
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
49
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2413
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
UMAX Technology 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link