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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

総合得点
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    58 left arrow 86
    周辺 33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 12.1
    テスト平均値
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    5.7 left arrow 1,950.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    58 left arrow 86
  • 読み出し速度、GB/s
    4,241.0 left arrow 12.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,950.7 left arrow 5.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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