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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
総合得点
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
総合得点
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
2
14.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
46
周辺 -39% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
1,519.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
3200
周辺 5.31 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
33
読み出し速度、GB/s
2,909.8
14.8
書き込み速度、GB/秒
1,519.2
10.6
メモリ帯域幅、mbps
3200
17000
Other
商品説明
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
241
1967
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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