RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
46
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
10.6
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
1967
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link