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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

総合得点
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
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Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB 考慮すべき理由
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 48
    周辺 -12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 5.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    8.9 left arrow 11.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1420 left arrow 1889

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology C 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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メモリRAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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