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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
48
Intorno -12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
5.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
48
43
Velocità di lettura, GB/s
8.9
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
1889
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
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Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
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