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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
48
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
5.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
48
43
Velocidad de lectura, GB/s
8.9
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1420
1889
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
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