RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 15.5
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 46
    周辺 -92% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 3200
    周辺 6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 9.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 2479

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
メモリRAM
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
メモリRAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
メモリRAM