RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
46
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
24
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
9.4
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2479
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link