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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
比較する
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
総合得点
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
総合得点
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
65
75
周辺 13% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,451.8
2,036.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
バグを報告する
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
75
読み出し速度、GB/s
4,605.9
3,986.4
書き込み速度、GB/秒
2,451.8
2,036.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
6400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
878
714
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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