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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Confronto
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
65
75
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,451.8
2,036.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
65
75
Velocità di lettura, GB/s
4,605.9
3,986.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,451.8
2,036.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
878
714
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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