Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Pontuação geral
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    65 left arrow 75
    Por volta de 13% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,451.8 left arrow 2,036.1
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latência em PassMark, ns
    65 left arrow 75
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,605.9 left arrow 3,986.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,451.8 left arrow 2,036.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    878 left arrow 714
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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