RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB

Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,168.2 left arrow 13.4
    テスト平均値
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB 考慮すべき理由
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 60
    周辺 -82% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 3089

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB RAMの比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
メモリRAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
メモリRAM