RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,168.2 left arrow 12.2
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 60
    周辺 -71% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    4,595.2 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,168.2 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    941 left arrow 3052

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB RAMの比較

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
メモリRAM
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
メモリRAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
メモリRAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
メモリRAM